Masa efektywna

Dziś Masa efektywna to temat, który obejmuje szeroki zakres dyskusji i badań w różnych dziedzinach. Od zdrowia po technologię, historię i kulturę, Masa efektywna przykuł uwagę zarówno ekspertów, jak i zwykłych ludzi. W tym artykule zbadamy różne aspekty Masa efektywna i przeanalizujemy jego wpływ na dzisiejsze społeczeństwo. Od jego początków po przyszłe implikacje – zagłębimy się w szczegółową analizę Masa efektywna, aby zrozumieć jego znaczenie w naszym codziennym życiu. Dołącz do nas podczas tej wycieczki po świecie Masa efektywna i odkryj, jak ten temat kształtuje świat, w którym żyjemy.

Masa efektywna – odpowiednik masy dla ciał (cząstek) znajdujących się w środowisku materialnym, z którym oddziałują. Pojęcie masy efektywnej jest wygodne w szczególności do opisu własności dynamiki elektronów i dziur elektronowych w półprzewodnikach. Stosując masę efektywną w równaniach ruchu, automatycznie uwzględnia się obecność otaczających pól bez potrzeby ich dokładnej analizy. Masa efektywna może być zarówno mniejsza, jak i większa od masy spoczynkowej tego samego ciała w próżni. Może być też ujemna[1].

W środowisku materialnym (np. krysztale) zmienia się zależność dyspersyjna cząstki ε(k) z parabolicznej dla próżni (dla cząstki nierelatywistycznej) na pochodną:

Formalnie masę efektywną definiuje się przez tensor odwrotności masy efektywnej:

W przypadku ośrodka izotropowego masa efektywna staje się skalarem:

Masy efektywne w półprzewodnikach[2]
Półprzewodnik Masa efektywna elektronu Masa efektywna dziury
pierwiastki z grupy IV
krzem, Si 0,36 me 0,81 me
german, Ge 0,55 me 0,37 me
związki azotowców z borowcami
antymonek indu, InSb 0,013 me 0,3 me
fosforek indu, InP 0,08 me me
arsenek galu, GaAs 0,067 me 0,45 me
azotek galu, GaN 0,22 me 0,8 me
azotek indu, InN 0,045 me 0,6 me

gdzie me = 0,511 MeV/c² jest masą elektronu w próżni.

Przypisy

  1. Shanshan Yao, Xiaoming Zhou and Gengkai Hu. Experimental study on negative effective mass in a 1D mass–spring system. „New Journal of Physics”. 10 (4), s. 043020, 2008. DOI: 10.1088/1367-2630/10/4/043020. 
  2. Vurgaftman, I, Meyer, JR, Ram-Mohan, LR. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. „J. Appl. Phys.”. 89 (11), s. 5815–5875, 2001. DOI: 10.1063/1.1368156.